专利名称：一种基于双离子调控的忆阻器单元及其制备方法
专利(申请)号：CN202210049184.5
申请日期：2022-01-17
授权日期：
发明人：朱小健; 张峥; 吴柳; 孙翠; 段吉鹏; 李润伟
其他发明人：
专利权人：