一种高熵NASICON氧化物固体电解质及其制备方法和应用
专利名称:一种高熵NASICON氧化物固体电解质及其制备方法和应用
专利(申请)号:CN202510198689.1
申请日期:2025-02-24
授权日期:
发明人:姚霞银; 孙华章; 赵森; 屈婷; 杨菁; 杨一帆
其他发明人:
专利权人:
专利(申请)号:CN202510198689.1
申请日期:2025-02-24
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发明人:姚霞银; 孙华章; 赵森; 屈婷; 杨菁; 杨一帆
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