一种高电磁波吸收性能的花状MXene纳米材料及其制备方法和应用 专利名称:一种高电磁波吸收性能的花状MXene纳米材料及其制备方法和应用 专利(申请)号:CN202311197986.1 申请日期:2023-09-18 授权日期: 发明人:钱鑫; 朱雪; 张永刚 其他发明人: 专利权人: