一种单晶/多晶两相结构的铈掺杂氧化锡吸波材料及其制备方法 专利名称:一种单晶/多晶两相结构的铈掺杂氧化锡吸波材料及其制备方法 专利(申请)号:CN202310246507.4 申请日期:2023-03-15 授权日期: 发明人:满其奎; 王璇; 谭果果; 雷镇匡 其他发明人: 专利权人: