内嵌二苯并噻吩的高效窄谱带发光材料及其制备方法和应用 专利名称:内嵌二苯并噻吩的高效窄谱带发光材料及其制备方法和应用 专利(申请)号:CN202411867967.X 申请日期:2024-12-18 授权日期: 发明人:葛子义; 莘子如; 李伟; 吴林 其他发明人: 专利权人: