专利名称：一种MOS器件漏电流瞬态采样装置及方法
专利(申请)号：CN202010297758.1
申请日期：2020-04-16
授权日期：
发明人：乔海; 张驰; 戴明志; 李荣; 张杰; 陈思鲁; 杨桂林
其他发明人：
专利权人：