一种基于隧穿氧化层钝化接触结构的选择性发射极及其制备方法和应用
专利名称:一种基于隧穿氧化层钝化接触结构的选择性发射极及其制备方法和应用
专利(申请)号:CN202210633256.0
申请日期:2022-06-07
授权日期:
发明人:刘伟; 肖明晶; 叶继春; 曾俞衡; 廖明墩; 闫宝杰
其他发明人:
专利权人:
专利(申请)号:CN202210633256.0
申请日期:2022-06-07
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发明人:刘伟; 肖明晶; 叶继春; 曾俞衡; 廖明墩; 闫宝杰
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